真空鍍膜技術(shù)對設(shè)備有哪些基本技術(shù)要求
發(fā)布時間：2019-03-09 09:28:30
1、設(shè)備中的真空管道、靜態(tài)密封零部件（法蘭、密封圈等）的結(jié)構(gòu)形式，應(yīng)符合GB/T6070的規(guī)定。
2、在低真空和高真空管道上及真空鍍膜室上應(yīng)安裝真空測量規(guī)管，分別測量各部位的真空度。當(dāng)發(fā)現(xiàn)電場對測量造成干擾時，應(yīng)在測量口處安裝電場屏蔽裝置。
3、如果設(shè)備使用的主泵為擴散泵時，應(yīng)在泵的進氣口一側(cè)裝設(shè)有油蒸捕集阱
4、設(shè)備的鍍膜室應(yīng)設(shè)有觀察窗，應(yīng)設(shè)有擋板裝置。觀察窗應(yīng)能觀察到沉積源的工作情況以及其他關(guān)鍵部位。
5、離子鍍沉積源的設(shè)計應(yīng)盡可能提高鍍膜過程中的離化率，提高鍍膜材料的利用率，合理匹配沉積源的功率，合理布置沉積源在真空室體的位置。
6、合理布置加熱裝置，一般加熱器結(jié)構(gòu)布局應(yīng)使被鍍工件溫升均勻一致。
7、工件架應(yīng)與真空室體絕緣，工件架的設(shè)計應(yīng)使工件膜層均勻。
8、離子鍍膜設(shè)備一般應(yīng)具有工件負偏壓和離子轟擊電源，離子轟擊電源應(yīng)具有抑制非正常放電裝置，維持工作穩(wěn)定。
9、真空室接不同電位的各部分間的絕緣電阻值的大小，均按GB/T11164-1999中的4、4、6
10、其他注意事項
（1）環(huán)境溫度：10-30oC
（2）相對濕度：不大于75%
（3）冷卻水進水溫度：不高于25oC
（4）冷卻水質(zhì)：城市自來水或相當(dāng)質(zhì)量的水。
（5）供電電源：380V三相50Hz或220V單相50Hz(由所用電器需要而定)；電壓波動范圍：342-399V或198-231V；頻率波動范圍：49-51Hz。
（6）設(shè)備所需的壓縮空氣，液氮，冷水、熱水等的壓力、溫度，消耗量等，均應(yīng)在產(chǎn)品使用說明書中寫明。
（7）設(shè)備周圍環(huán)境整潔，空氣清潔，不應(yīng)有引起電器及其他金屬件表面腐蝕或引起金屬間導(dǎo)電的塵埃或氣體存在。
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